| Особенности эксплуатации транзисторов в радиоаппаратуре | ||||
|
Особенности эксплуатации транзисторов в радиоаппаратуреПри конструировании, создании и эксплуатации полупроводникового оборудования следует принимать во внимание ее специфические параметры. Высокая надежность бытовой электроники может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость характеристик от режима работы, а также изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации.Полупроводниковые приборы сохраняют свои характеристики в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в широких пределах. Эти условия характеризуются внешними вибрационными нагрузками и климатическими воздействиями (температурными и др.). Общие условия, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для применения в аппаратуре определенного класса, есть в общих технических условиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, есть в частных технических условиях. Для удобства разработки и ремонта основные . К преимуществам электронного справочника надо отнести его общедоступность, пополняемость, мгновенный поиск требуемого транзистора по маркировке и аналогу. Под воздействием разных факторов окружающей среды некоторые . Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление электронных приборов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при различных допустимых условиях эксплуатации. Важно запомнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании биполярных транзисторов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя. Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, изготовленные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких элементов защищены специальным покрытием, но оно не дает дополнительной защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы. Чтобы осуществить долголетнюю и безотказную работу бытовой электроники, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и осуществить нужные условия ее эксплуатации и хранения. Транзисторы - трехполюсники универсального назначения. Они могут быть отлично использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах. Однако . В справочнике даны значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в ремонтируемом блоке часто отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ. Значения большинства параметров транзисторов зависят от реального режима и температуры, и с увеличением температуры зависимость параметров от режима видно более сильно. В справочнике даны, как правило, типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимости обязаны использоваться при нахождении типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные характеристик транзисторов одного типа не одинаковы, а находятся в некотором диапазоне. Данный диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение. При настройке устройств необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более больших интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при разработке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — методом граничных испытаний. Полевые трехполюсники с управляющим р-n переходом функционируют в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при преобразовании напряжения затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока. В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых рабочая область составляет от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы имеют большое входное сопротивление при любых значениях потенциала на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. |
